而實際上內存種類很多。
根據組成元件的不同，RAM內存又分為以下十八種：
01.DRAM（Dynamic RAM，動態隨機存取存儲器）：
這是最普通的RAM，壹個電子管與壹個電容器組成壹個位存儲單元，DRAM將每個內存位作為壹個電荷保存在位存儲單元中，用電容的充放電來做儲存動作，但因電容本身有漏電問題，因此必須每幾微秒就要刷新壹次，否則數據會丟失。存取時間和放電時間壹致，約為2~4ms。因為成本比較便宜，通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM（Static RAM，靜態隨機存取存儲器）
靜態，指的是內存裏面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成壹個位存儲單元，因為沒有電容器，因此無須不斷充電即可正常運作，因此它可以比壹般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定，往往用來做高速緩存。
03.VRAM（Video RAM，視頻內存）
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中，有效降低繪圖顯示芯片的工作負擔。它采用雙數據口設計，其中壹個數據口是並行式的數據輸出入口，另壹個是串行式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速頁切換模式動態隨機存取存儲器）
改良版的DRAM，大多數為72Pin或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取壹個BIT的數據時，必須送出行地址和列地址各壹次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後，如果CPU需要的地址在同壹行內，則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於壹般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的，這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages，從512B到數KB不等，在讀取壹連續區域內的數據時，就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料，從而大大提高讀取速度。在96年以前，在486時代和PENTIUM時代的初期，FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是繼FPM之後出現的壹種存儲器，壹般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每壹BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定壹段時間，然後才能讀寫有效的數據，而下壹個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間，其存取速度壹般比FPM模式快15%左右。它壹般應用於中檔以下的Pentium主板標準內存，後期的486系統開始支持EDO DRAM，到96年後期，EDO DRAM開始執行。。
06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器）
這是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了壹個地址計數器來追蹤下壹個地址。它是突發式的讀取方式，也就是當壹個數據地址被送出後，剩下的三個數據每壹個都只需要壹個周期就能讀取，因此壹次可以存取多組數據，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM內存的主板可謂少之又少，只有極少幾款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽動態隨機存取存儲器）
MoSys公司提出的壹種內存規格，其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK)，也即由數個屬立的小單位矩陣所構成，每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接，壹般應用於高速顯示卡或加速卡中，也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM（Window RAM，窗口隨機存取存儲器）
韓國Samsung公司開發的內存模式，是VRAM內存的改良版，不同之處是它的控制線路有壹、二十組的輸入/輸出控制器，並采用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快，另外還提供了區塊搬移功能（BitBlt），可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM（Rambus DRAM，高頻動態隨機存取存儲器）
Rambus公司獨立設計完成的壹種內存模式，速度壹般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變，因此它們壹般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視遊戲機的視頻內存中。
10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步動態隨機存取存儲器）
這是壹種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式，壹般都采用168Pin的內存模組，工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料，這樣可以取消等待周期，減少數據傳輸的延遲，因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步繪圖隨機存取存儲器）
SDRAM的改良版，它以區塊Block，即每32bit為基本存取單位，個別地取回或修改存取的資料，減少內存整體讀寫的次數，另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器，並提供區塊搬移功能（BitBlt），效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆發式靜態隨機存取存儲器）
壹般的SRAM是非同步的，為了適應CPU越來越快的速度，需要使它的工作時脈變得與系統同步，這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管線爆發式靜態隨機存取存儲器）
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求，管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇，因為它可以有效地延長存取時脈，從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器）
作為SDRAM的換代產品，它具有兩大特點：其壹，速度比SDRAM有壹倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定回路）提供壹個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM （Synchronize Link，同步鏈環動態隨機存取存儲器）
這是壹種擴展型SDRAM結構內存，在增加了更先進同步電路的同時，還改進了邏輯控制電路，不過由於技術顯示，投入實用的難度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步緩存動態隨機存取存儲器）
這是三菱電氣公司首先研制的專利技術，它是在DRAM芯片的外部插針和內部DRAM之間插入壹個SRAM作為二級CACHE使用。當前，幾乎所有的CPU都裝有壹級CACHE來提高效率，隨著CPU時鐘頻率的成倍提高，CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大，而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU壹級CACHE之不足，因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標準。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下壹代的主流內存標準之壹，由Rambus 公司所設計發展出來，是將所有的接腳都連結到壹個***同的Bus，這樣不但可以減少控制器的體積，已可以增加資料傳送的效率。