三極管的參數解釋
δλ-光譜半寬度
△VF——正壓降差
△vz——穩壓範圍內的電壓增量
Av -電壓溫度系數
A -溫度系數
bv cer-基極和發射極串聯壹個電阻，CE結的擊穿電壓。
BVcbo -發射極開路，集電極和基極之間的擊穿電壓。
BVceo -基極開路，CE結擊穿電壓
BVces -基極和發射極短路時CE結的擊穿電壓
BVebo -開集電極EB結的擊穿電壓。
Cib - *** *基極輸入電容
Cic -集電極結勢壘電容
Cieo - *** *發射極開路輸入電容
Cies - *** *發射極短路輸入電容
Cie - *** *發射極輸入電容
cjo/cjn-結電容變化
Cjo -零偏置結電容
Cjv -偏置結電容
Cj -結(極間)電容，表示二極管兩端在規定偏壓下鍺探測器二極管的總電容。
CL -負載電容(外部電路參數)
Cn -中和電容(外部電路參數)
Cob - *** *基極輸出電容。在基極電路中，集電極和基極之間的輸出電容。
Coeo - *** *發射極開路輸出電容
Coe - *** *發射極輸出電容
共零偏置電容器
共同輸出電容
Cp -並聯電容器(外部電路參數)
Cre - *** *發射極反饋電容
Cs -外殼電容或封裝電容
CTC -電容的溫度系數
CTV電壓溫度系數。測試電流下穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比。
Ct -總電容
Cvn -標稱電容
di/dt-通態電流的臨界上升速率
dv/dt-通態電壓的臨界上升速率
D -占空比
ESB -二次擊穿能量
Fmax -最高振蕩頻率。三極管功率增益等於1時的工作頻率。
FT -特征頻率
f頻率
H re-* * *發射極靜態電壓反饋系數
HFE - *** *發射極靜態電流放大系數
Hfe - *** *發射極小信號短路電壓放大系數
HIE - *** *發射極靜態輸入阻抗
Hie - *** *發射極小信號短路輸入阻抗
HOE - *** *發射極靜態輸出電導
Hoe - *** *發射極小信號開路輸出導納
Hre - *** *發射極小信號開路電壓反饋系數
IAGC正自動控制電流
單結晶體管中的IB2基極調制電流
IBM——在集電器允許的功耗範圍內，能連續通過底座的DC電流的最大值或交流電流的最大平均值。
IB -基本DC電流或交流電流的平均值。
Icbo -基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下集電極和基極之間的反向截止電流。
Iceo -發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下集電極和發射極之間的反向截止電流。
Icer -基極和發射極之間的串聯電阻R，當集電極和發射極之間的電壓VCE達到規定值時，集電極和發射極之間反向截止電流。
ices——發射極接地，基極對地短路，集電極和發射極之間在規定反向電壓VCE條件下的反向截止電流。
Icex -發射極接地，在基極和發射極之間施加特定的偏壓。在規定的反向偏置VCE下，集電極和發射極之間的反向截止電流。
ICMP -集電極最大允許脈沖電流
ICM -允許的最大集電極電流或交流電流的最大平均值。
ICM -最大平均輸出電流
Ic -集電極DC電流或交流電流的平均值。
IDR -晶閘管關斷狀態平均重復電流
ID -暗電流
IEB10 -雙基單結晶體管中發射極和第壹基極之間的反向電流
雙基單結晶體管中的IEB20 -發射極電流
Iebo -基極接地，集電極對地開路，發射極和基極之間的反向截止電流低於規定的反向電壓VEB。
IEM發射極峰值電流
IE -發射極DC電流或交流電流的平均值。
if(av)-正向平均電流
if(ov)-正過載電流
IFM(IM)-正向峰值電流(正向最大電流)。額定功率下二極管允許的最大正向脈沖電流。發光二極管的極限電流。
IFMP正向脈沖電流
IFRM正重復峰值電流
IFSM正向非重復峰值電流(浪湧電流)
中頻-正向DC電流(正向測試電流)。鍺檢測二極管在規定的直流電壓VF下通過電極之間的電流；矽整流管和矽堆在規定使用條件下允許以正弦半波連續通過的最大工作電流(平均值)，矽開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向DC電流；測量齊納二極管正向電參數時的給定電流
IF -正總瞬時電流
IGD -晶閘管控制極不觸發電流。
IGFM -控制極正峰值電流
晶閘管控制極的IGT觸發電流
IH -恒定電流，保持電流。
Ii -發光二極管的輝光電流
IL -光電流或穩定二極管的極限電流
IOM -最大正向(整流)電流。在特定條件下可以承受的最大正向瞬時電流；在帶阻性負載的正弦半波整流電路中，允許連續通過鍺檢波二極管的最大工作電流。
Iop -工作電流
Io整流電流。特定線路在特定頻率和電壓條件下通過的工作電流。
IP峰值電流
IR(av)-反向平均電流
IR(in)-反向DC電流(反向漏電流)。測量反向特性時，給定的反向電流；具有指定反向電壓的正弦半波阻性負載電路中通過矽堆的電流；當反向工作電壓VR施加在矽開關二極管上時流過的電流；反向電壓下齊納二極管產生的漏電流；正弦半波最大反向工作電壓下整流器的漏電流。
IRM -反向峰值電流
反向恢復電流
IRRM反向重復峰值電流
晶閘管反向重復平均電流
IRSM反向非重復峰值電流(反向浪湧電流)
反向恢復電流
IR -反向總瞬時電流
ISB -次級擊穿電流
穩流二極管穩定電流。
IV -谷點電流
穩壓器的拐點電流
IZM -最大調節電流。齊納二極管在最大功耗下允許的電流。
IZSM -齊納二極管的浪湧電流
Iz -穩定的電壓和電流(反向測試電流)。測試反向電參數時，給定反向電流
N -電容變化指數；電容比
耐脈沖燃燒功率。
PCM -集電器的最大允許耗散功率
Pc集電極耗散功率
PC -控制電極的平均功率或集電極消耗的功率。
Pd -耗散功率
pft(av)-正向傳導的平均耗散功率。
PFTM正峰值耗散功率
PFT -正向傳導的總瞬時耗散功率
PGM -門峰值功率
PG -平均門功率
Pi -輸入功率
Pi -輸入功率
PK -最大開關功率
PMP -最大泄漏脈沖功率
PMS -最大耐受脈沖功率
PM -額定功率。矽二極管的結溫不高於150度所能維持的最大功率。
Pn噪聲功率
Pomax -最大輸出功率
Posc -振蕩功率
Po -輸出功率
Po -輸出功率
PR -反向浪湧功率
Psc -連續輸出功率
PSM -非重復浪湧功率
Ptot -總耗散功率
Ptot -總耗散功率
PZM -最大耗散功率。齊納二極管在給定使用條件下允許承受的最大功率。
Q -卓越價值(品質因數)
R δ -衰減電阻
r(th)ja-從結到環境的熱阻。
r(th)JC——從接點到外殼的熱阻。
r(th)-瞬態電阻
Rbb分鐘Cc -基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻和集電極結電容的乘積。
Rbb分鐘-基礎擴展電阻(基礎固有電阻)
雙基晶體管基極間電阻
RBE -外部基極-發射極電阻(外部電路參數)
RB -外部基極電阻(外部電路參數)
Rc -外部集電極電阻(外部電路參數)
射頻電阻器
重新外部發射極電阻(外部電路參數)
RF(r)-正向微分電阻。正向導通時，隨著電壓指數的增大，電流呈現明顯的非線性特征。在壹定的直流電壓下，如果電壓增加少量△V，正向電流增加△I，那麽△V/△I就叫微分電阻。
RG -信號源的內阻
Rie -發射極接地且交流輸出短路時的輸入電阻。
RL -負載電阻
RL -負載電阻(外部電路參數)
roe——發射極接地時交流輸入短路時的輸出電阻，頻率規定為VCE、Ic或IE。
RS(RS)-串聯電阻
Rth -熱阻
Rth -熱阻
rz(ru)-動態電阻
Ta -環境溫度
Ta -環境溫度
Tc -外殼溫度
Tc -外殼溫度
Td -延遲時間
TD-延遲時間
Tfr -前向恢復時間
Tf -下降時間
Tf -下降時間
Tgt -柵控電極開啟時間
Tg -電路換向關斷時間
Tjm -最大容許結溫
Tjm -最高結溫
Tj結溫度
關斷時間
關斷時間
開噸時間
開噸時間
Trr -反向恢復時間
Tr -上升時間
Tr -上升時間
Tstg -溫度補償二極管的存儲溫度
Tstg -儲存溫度
Ts -儲存時間
Ts -儲存時間
Ts -結溫
噪聲電壓
V v -谷電壓
v(br)-擊穿電壓
VAGC正自動增益控制電壓
VB2B1 -基極間電壓
VBB基地(DC)電源電壓(外部電路參數)
VBE(SAT)-發射極接地，以及特定Ic和IB條件下基極-發射極的飽和壓降(正向壓降)。
VBE10 -發射極和第壹基極之間的反向電壓
VBE -基極發射極(DC)電壓
反向峰值擊穿電壓
VCBO——基極接地，發射極對地開路，集電極和基極之間在規定條件下的最高耐受電壓。
VCB -集電極-基極(DC)電壓
Vcc -集電極(DC)電源電壓(外部電路參數)
VCE(SAT)-發射極接地，規定了Ic和IB條件下集電極和發射極之間的飽和壓降。
VCEO -發射極接地，基極對地開路，在特定條件下集電極和發射極之間的最高耐受電壓。
VCER -發射極接地，基極和發射極之間的串聯電阻R，以及在特定條件下集電極和發射極之間的最大耐受電壓。
VCES——發射極接地，基極對地短路，在規定條件下集電極和發射極之間的最高耐受電壓。
VCEX -發射極接地，基極和發射極之間施加規定的偏置電壓，集電極和發射極之間在規定條件下的最大耐受電壓。
VCE集電極發射極(DC)電壓
Vc整流輸入電壓
VDRM -關斷狀態重復峰值電壓
VEBO——基極接地，集電極對地開路，在規定條件下發射極和基極之間的最高耐受電壓。
VEB飽和壓降
v形發射極(DC)電源電壓(外部電路參數)
VF(av)-正向平均電壓
VFM -最大正向壓降(正向峰值電壓)
VF -正向電壓降(正向DC電壓)
VGD門電壓沒有被觸發。
VGFM -柵極正峰值電壓
VGRM -柵極反向峰值電壓
VGT門觸發電壓
Vk -拐點電壓(穩流二極管)
VL極限電壓
VN(p-p)-輸入端等效噪聲電壓的峰值。
Vn -中心電壓
VOM -最大輸出平均電壓
Vop -工作電壓
Vo -交流輸入電壓
Vp -穿通電壓。
Vp -峰值電壓
VRM -反向峰值電壓(最高測試電壓)
VRRM -反向重復峰值電壓(反向浪湧電壓)
VRWM -峰值工作反向電壓
VR -反向工作電壓(反向DC電壓)
VSB -次級擊穿電壓
Vs -鎮流器的電壓對電壓(信號電壓)或穩定電流電壓。
Vth -閥電壓(mosfet)
Vz穩定電壓
δVZ-穩壓器的電壓漂移
η——單結晶體管的分壓比或效率
λp-發光的峰值波長