矽片著火溫度

矽片著火溫度為800攝氏度（1472華氏度），並在接觸到明火或高溫源時會發生燃燒。矽片（指的是矽晶圓）是用於制造半導體芯片的基礎材料，其著火溫度是非常高的。矽晶圓的主要成分是純度很高的矽，需要註意的是，矽晶圓是在加工過程中被加熱到高溫，例如用於沈積材料、蝕刻或熱處理等工藝。在這些情況下，矽片的溫度可以遠高於其著火溫度，但這是在控制的環境中進行的，不會導致矽片自發燃燒。總之，矽片的著火溫度為800攝氏度（1472華氏度），但在實際應用中，矽片在控制的環境下進行高溫處理，不會自發燃燒。