晶圓技術
先氧化，熱氧化生成SiO2 _ 2緩沖層，在後續的氧化，熱CVD中用來降低矽片上Si _ 3N _ 4的應力，這種方法生產率高，臺階鍍膜好(無論深孔內表面多麽不平整，氣體都能到達表面並附著薄膜)，所以應用廣泛。
矽在自然界中以矽酸鹽或二氧化矽的形式廣泛存在於巖石和礫石中。矽晶片的制造可以概括為三個基本步驟，即矽精煉和提純、單晶矽生長、晶片成型、制造工藝、表面清洗以及在晶片表面附著厚度約為2um的Al2O3和甘油混合物的保護層。制造前必須進行化學蝕刻和表面清潔。