第壹，短波振蕩采用二次倍頻，兩個短波用壹個本振。短波振蕩頻率設置為4.465 MHz-9.465 MHz，比短波ⅰ高壹個中頻，短波ⅱ 9-18 MHz采用本振倍頻和串聯本振墊電容，使短波振蕩二次倍頻的頻率高於墊電容調整後的頻率。
這種處理降低了電路的復雜性，而不影響性能。