？多晶矽生長的模擬過程包括大量的物理和化學過程模型，如湍流傳熱傳質、輻射傳熱、氣相和表面化學反應、矽棒的電加熱建模等。PolySim軟件還包括分解交互化學模型和初始氣相的原始表面化學模型，可以準確模擬氣固界面的化學反應過程，從而達到提高CVD沈積速率和均勻性的目的。
？PolySim軟件的圖形用戶界面包括仿真所需的所有基本參數設置、問題說明、解控制和結果可視化界面。在PolySim軟件的操作界面中，您可以找到幾乎所有與還原爐設計的操作條件和主要特性相關的參數設置選項。此外，PolySim軟件可以評估非均勻性對不同矽棒部件生長的影響。用PoySim軟件模擬多晶矽的整個生長過程時，可以根據矽棒的直徑或生長時間將整個生長過程分為幾個階段，每個階段的模擬結果就是瞬時反應器特性，整個生長模擬過程中不同階段的集成就是多晶矽的整個生長過程。PoySim軟件的圖形用戶界面可以實時顯示殘差曲線，便於觀察和控制殘差的收斂。PoySim的模擬結果包括還原爐產量、單耗、矽轉化率、電流參數、氣體流量、矽棒中心溫度、矽棒表面氣體消耗、氣體流動條件和總能耗。