1.晶片尺寸(直徑)以英寸為單位，晶體管之間的距離以納米為單位。它描述了由該過程取代的加工秤的精度。
第二，它不是指半導體器件中特定結構的特征尺寸，而是能夠反映加工精度的壹類尺寸的平均值。
3.晶圓直徑越大，晶體管間距越小，單個晶圓上集成的晶粒(芯片)越多，即集成度越高。所以尺寸越來越大，間距(納米)越來越小，技術越來越復雜。
擴展數據:
矽是從石英砂中提煉出來的，矽片是用矽元素(99.999%)提純的。然後，這些純矽被制成矽棒，成為應時半導體制造集成電路的材料。經過光刻、研磨、拋光、切片等程序，多晶矽被熔化並從單晶矽棒中拉出，然後切割成薄晶片。
矽片廣泛應用於集成電路(IC)基板和半導體封裝基板材料，矽片的劃片質量直接影響芯片的成品率和制造成本。
矽片切割方法主要有金剛石砂輪切割和激光切割。
激光劃片是利用高能激光束聚焦產生的高溫，瞬間汽化照射局部區域的矽材料，完成矽片的分離。但高溫會在狹縫周圍產生熱應力，導致矽片邊緣開裂，只適合切割薄晶片。
超薄金剛石砂輪切片由於切削力小，劃片成本低，是應用最廣泛的劃片工藝。由於矽片的脆硬特性，劃片過程中容易出現崩邊、微裂紋、分層等缺陷，直接影響矽片的機械性能。
同時，由於矽片硬度高、韌性低、熱導率低，劃片過程中產生的摩擦熱難以快速傳導，容易造成刀片中金剛石顆粒的碳化和熱斷裂，使刀具磨損嚴重，嚴重影響劃片質量。
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