通常制備晶體的方法可以用來實現摻雜，如固相法、沈澱法、溶膠-凝膠法、水熱法等。根據摻雜離子在晶格中的位置，晶體摻雜可分為替代摻雜和間隙摻雜。不是所有種類的摻雜離子都能進入母晶格。摻雜替代時，母晶格中的摻雜離子和替代離子需要滿足(1)近離子半徑和(2)近價態的要求才能實現摻雜。在間隙中摻雜時，摻雜離子的半徑要比較小，摻雜離子可以進入晶格的間隙位置實現摻雜。問題1中提到的在ZrO2 _ 2中摻雜Y2O3，應該是用來穩定氧化鋯，抑制氧化鋯的晶型轉變。這裏，為了使Y2O3容易進入ZrO2的晶格，降低晶化溫度，通常采用液相法制備Y2O3，實現原料在原子水平上的均勻混合，從而縮短晶化過程中原子的擴散路徑，在較低溫度下獲得摻雜晶體。在這種摻雜晶體中，Y占據了Zr的晶格(而不是摻雜)，由於Y和Zr的價態不同，引入了氧空位。
為什麽摻雜後會形成空穴而不會導致晶體結構坍塌？
摻雜後，由於晶格可以通過晶體承受壹定的晶格畸變，所以可以形成空穴而不會發生晶體結構的坍塌。但是不同晶體所能承受的晶格畸變是有壹定限度的，所以摻雜也是有壹定限度的。當摻雜被替代時，屬性(半徑、電價等)越接近。)對被取代離子的晶格畸變越小，最大摻雜量越大(例如，在某些合金中，當摻雜離子與母體非常相似時，可以實現無限固溶體，即使摻雜濃度達到100%，晶體結構也不會坍塌)。但由於摻雜離子的半徑通常大於晶格間隙，摻雜會造成更大的晶格畸變，所以最大摻雜比例較小，比如摻C的Fe(金屬材料還是大學生，我都快忘了叫什麽了。當摻雜量達到壹定值時，會生成Fe3C，晶格結構會發生變化)。就摻雜在ZrO _ 2中的Y2O3而言，能進入ZrO _ 2的Y量有壹個最大值，即當原料中的Y超過ZrO _ 2所能容納的最大值時，多余的Y不能進入ZrO _ 2的晶格而仍以Y2O3的形式存在。