存儲矩陣由觸發器組成，每個觸發器可以存儲壹位數據(0或1)。通常，每組存儲單元被編碼為壹個地址來存儲壹個字；每個字中的位數等於該組中單元的數量。
存儲器的容量表示為“字數×位數”。地址譯碼器將每個輸入的地址碼翻譯成高(或低)電平信號，並從存儲矩陣中選擇壹組單元與讀寫控制電路相連。在讀寫控制信號的配合下，數據被讀取或寫入。
擴展數據:
動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵電容來存儲信息，但由於柵電容的容量很小，漏電流不可能絕對等於0，所以電荷的存儲時間有限。為了避免存儲信息的丟失，需要定期給電容補充泄漏的電荷。
這種操作通常稱為“刷新”或“再生”，所以DRAM內部應該有刷新控制電路，其操作比靜態RAM更復雜。盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構可以做得非常簡單，元件少，功耗低，所以已經成為大容量RAM的主流產品。
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