而閃存是以單晶體管作為二進制信號的存儲單元，其結構與普通的半導體晶體管非常類似，區別在於閃存的晶體管加入了“浮動柵（floating gate）”和“控制柵（Control gate）”。浮動柵用於貯存電子，表面被壹層矽氧化物絕緣體所包覆，並通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被註入到浮動柵中時，NAND單晶體管的存儲狀態就由1變成0；而當負電子從浮動柵中移走後，存儲狀態就由0變成1。包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內部的電子“困住”，達到保存數據的目的。如果要寫入數據，就必須將浮動柵中的負電子全部移走，令目標存儲區域都處於1狀態，只有遇到數據0時才發生寫入動作，但這個過程需要耗費較長的時間，導致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢於數據讀取的速度。