與傳統矽基半導體相比，氮化鎵具有更好的擊穿能力，更高的電子密度和電子遷移率，更高的工作溫度。可以帶來低損耗和高開關頻率:低損耗可以減少傳導電阻產生的熱量，高開關頻率可以減小變壓器和電容的體積，有助於減小充電器的體積和重量。同時GaN具有更小的Qg，可以輕松提高頻率，降低驅動損耗。
充電器
根據充電器的產品分類，氮化鎵材質的充電器可以獲得更小的體積和更大的充電功率。
氮化鎵是目前世界上最快的功率開關器件之壹，在高速開關的情況下仍能保持較高的效率水平，可應用於較小的變壓器，使充電器能有效減小產品尺寸。比如引入USB PD快充參考設計，讓常見的45W適配器設計可以采用30W或者更小的外形設計。