高k金屬柵的集成工藝有哪些？

高k金屬柵集成了降低柵漏電流和提高器件可靠性的技術。隨著晶體管尺寸的減小，柵氧化層厚度和源漏間距進壹步減小，柵漏電流和源漏間漏電流急劇增加，傳統的SiO _ 2和SiON已經不能滿足工業的需要。為了克服這些問題，只能使用具有高介電常數的高k電介質來代替傳統的二氧化矽電介質。高k柵介質可以在保持柵電容不變的情況下增加柵介質的物理厚度，從而達到降低柵漏電流和提高器件可靠性的雙重目的。

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