化學機械拋光(CMP)是集成電路制造中實現晶圓表面平坦化的關鍵工藝。與傳統的純機械或化學拋光方法不同，CMP工藝通過表面化學作用和機械研磨技術的結合，實現對晶圓表面不同微/納米材料的去除，從而實現晶圓表面納米級的平坦化，使下壹步光刻工藝得以進行。
CMP的主要工作原理是在壹定的壓力下，在拋光液的存在下，被拋光的晶片相對於拋光墊運動。借助於納米磨料的機械研磨作用和各種化學試劑的化學作用的高度有機結合，拋光後的晶片表面可以滿足高平坦度、低表面粗糙度和低缺陷的要求。