GaN放大器和GaAs放大器各有什麽優缺點？

GaN是壹種寬禁帶半導體，抗輻射能力強，擊穿電場高於GaAs，更適用於大功率器件。但與GaAs相比，GaN的遷移率較低，因此GaN放大管的高頻特性不如GaAs，III-N族化合物半導體的異質結結構中存在很強的極化效應。在實現高濃度二維電子氣的同時，缺乏實現增強的穩定手段。