Mosfet的測量方法是將樣品測得的伏安特性曲線與理論計算值進行比較。首先，根據等式6和27，閾值以上的非飽和段的漏電流符合等式(等式略)。公式7.1建立的模型已經包含了水平段和垂直段的影響(即加速飽和)。當Vds足夠小時，飽和加速度可以忽略不計，因此公式7.1可以近似處理為(公式略)。