什麽是肖特基二極管，它有什麽特點？

肖特基二極管以其發明者肖特基命名，SBD是SchottkyBarrierDiode (SBD)的縮寫。SBD不是利用P型半導體和N型半導體接觸形成PN結的原理制成的，而是利用金屬和半導體接觸形成金屬-半導體結的原理制成的。因此，SBD，也稱為金屬半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，是壹種熱載流子二極管。它是近年來問世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。它的反向恢復時間很短(小到幾納秒)，正向導通壓降只有0.4V左右，而整流電流可以達到幾千毫安。這些優秀的特性是快速恢復二極管無法比擬的。中小功率肖特基整流二極管大多是封裝的。SBD的主要特點包括兩個方面:1)由於肖特基勢壘的高度低於PN結勢壘，其正向導通mosfet和正向壓降低於PN結二極管(約低0.2V)。2)因為SBD是多數載流子傳導器件，所以不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充放電時間，與PN結二極管的反向恢復時間完全不同。由於SBD的反向恢復電荷很小，開關速度很快，開關損耗很小，特別適合高頻應用。然而，因為SBD的反向勢壘薄，並且在其表面上容易發生擊穿，所以反向擊穿電壓相對較低。因為SBD比PN結二極管更容易熱擊穿，所以反向漏電流比PN結二極管大。