壹:在20世紀60年代，人們已經知道半導體材料可以產生光的基本知識。第壹個商用二極管產生於1960年。
二:LED的核心部分是由P型半導體和N型半導體組成的晶片，在P型半導體和N型半導體之間有壹個過渡層，稱為pn結。70年代中期，In和n元素的引入導致產生綠光、黃光和橙光，發光效率也提高到1流明/瓦。
三:1989白光LED研制成功。這種LED由GaN芯片和釔鋁石榴石(YAG)封裝而成。GaN芯片發出藍光(λp=465nm，Wd=30nm)，高溫燒結的含Ce3+的YAG熒光粉被這種藍光激發後發出峰值為550nm的黃光。
四:1993，日本中村修二研制成功高亮度藍光發光二極管。與傳統熒光燈和白熾燈泡相比，LED不僅體積小、環保節能，而且壽命高達654.38+百萬小時。LED已經成為20世紀照明和顯示的新光源。
五:2018 10 10月13日，中科院院士王建普教授團隊將鈣鈦礦發光二極管(led)的外量子效率提高到20.7%，比國際同行提高了近壹半。該結果最近發表在國際學術期刊《自然》上。
擴展數據:
第壹個LED是由Holonyak等人在1962中提出的GaAsP材料制成的紅色LED。因其壽命長、抗沖擊、抗震等特點，在1968實現商業化。
1971年，美國RCA實驗室的Pankove研究在氮化物材料中發現了形成高效藍光發射中心的雜質原子，研制出MIS(金屬-絕緣體-半導體)結構的GaN藍光LED器件，這是世界上第壹個藍光LED。
1989 GaN的P型摻雜成為藍光LED發明的又壹重大突破。赤崎勇和天野的研究團隊在世界上首次開發出pn結藍色LED。
1997年，Schlotter等人和Nakamura等人先後發明了用藍色LED管芯和黃色YAG熒光粉實現白光LED。在2001中，Kafmann等人用UV LED激發三基色熒光粉得到白光LED。
參考資料:
百度百科-—LED燈