RAM的特點是當計算機開機時，操作系統和應用程序的所有運行數據和程序都會放在裏面，並且可以隨時修改和訪問存儲在裏面的數據。它的工作需要持續的電力提供。壹旦系統斷電，存儲在其中的所有數據和程序將自動清空，並且永遠無法恢復。
根據組件的不同，RAM內存分為以下十八種類型:
01.動態隨機存儲器
這是最常見的RAM。電子管和電容器形成壹個位存儲單元。DRAM將每個存儲位作為電荷存儲在位存儲單元中，利用電容的充放電來做存儲動作。但由於電容本身的漏電問題，必須每隔幾微秒刷新壹次，否則數據會丟失。存取時間與放電時間壹致，約為2 ~ 4 ms，由於成本較低，通常在計算機中作為主存儲器使用。
02.靜態隨機存儲器。
靜態意味著內存中的數據可以長時間停留在其中，而不需要隨時訪問。每六個管組成壹個位存儲單元，因為沒有電容，所以不需要不斷充電就可以正常工作，所以可以比壹般的動態隨機處理存儲器更快更穩定，常用作緩存。
03.視頻內存
它的主要作用是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器，有效的減少了繪圖顯示芯片的工作量。它設計有雙數據端口，其中壹個是並行數據輸出端口，另壹個是串行數據輸出端口。多用於高級顯卡中的高端內存。
04.FPM DRAM(快速頁面模式DRAM)。
DRAM的改進版本多為72針或30針模塊。當訪問壹位的數據時，傳統的DRAM必須發送壹次行地址和列地址來讀寫數據。但行地址被FRM DRAM觸發後，如果CPU要求的地址在同壹行，則可以連續輸出列地址，而不輸出行地址。因為壹般程序和數據的地址在內存中是連續排列的，在這種情況下，可以通過連續輸出行地址和列地址來獲得需要的數據。FPM將內存分成許多頁，從512B到幾KB不等。在連續區域讀取數據時，可以通過快速換頁模式直接讀取每壹頁中的數據，大大提高了讀取速度。96年之前，在486時代和奔騰時代早期，FPM DRAM被廣泛使用。
05.EDO DRAM(擴展數據輸出DRAM)。
這是FPM之後的壹種內存，壹般是72Pin和168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每壹位數據時輸出壹段時間的行地址和列地址，然後就可以讀寫有效數據，直到這個讀寫操作完成後才能輸出下壹位的地址。因此可以大大縮短輸出地址的等待時間，其訪問速度壹般比FPM模式快15%左右。壹般適用於中檔以下奔騰主板的標準內存。後期486系統開始支持江戶DRAM，1996年後期開始實現江戶DRAM。。
06.突發擴展數據輸出DRAM。
這是壹款改進的EDO DRAM，是美光提出的。它在芯片上增加壹個地址計數器來跟蹤下壹個地址。它是壹種突發讀取模式，即在發送壹個數據地址時，只需要壹個周期就可以讀取剩下的三個數據中的每壹個，因此壹次可以訪問多組數據，比EDO DRAM快。但是支持BEDO DRAM內存的主板很少，只有少數主板提供支持(比如通過APOLLO VP2)，所以很快就被DRAM取代了。
07.多存儲體DRAM。
MoSys公司提出的壹種內存規範，分為幾個不同類型的小庫，即由幾個獨立的小單位矩陣組成，每個庫之間以比外部更高的數據速度相互連接，壹般用於高速顯示卡或加速卡，少數主板用於L2緩存。
08.WRAM(車窗RAM)。
韓國三星公司開發的內存模式是VRAM內存的改進版本。不同的是它的控制電路有壹二十組輸入/輸出控制器，采用EDO的數據存取方式，所以速度比較快。此外，它還提供了塊移位功能(BitBlt)，可應用於專業繪圖工作。
09.RDRAM(Rambus DRAM)。
Rambus公司自主設計了壹種內存模式，速度壹般可以達到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。而內存控制器在使用這種內存後需要做相當大的改動，所以壹般都用在專業的圖形加速適配卡或者電視遊戲機的顯存上。
10.同步動態隨機存取存儲器
這是壹種可以與CPU外部時鐘同步的內存模式。壹般采用168Pin內存模塊，工作電壓為3.3V，所謂時鐘同步是指內存可以與CPU同步訪問數據，可以取消等待期，減少數據傳輸的延遲，從而提高計算機的性能和效率。
11.s gram(同步圖形ram)。
SDRAM的壹個改進版本使用塊，即每32位作為基本訪問單位，單獨檢索或修改被訪問的數據，以減少整個存儲器的讀寫次數。另外增加了繪圖控制器來滿足繪圖需求，提供了塊移動功能(BitBlt)，明顯高於SDRAM。
12.同步突發SRAM
壹般的SRAM是異步的。為了適應CPU越來越快的速度，需要將其工作時鐘與系統同步，這就是SB SRAM出現的原因。
13.流水線突發SRAM
CPU外頻速度的快速提升對其匹配內存提出了更高的要求。用流水線爆炸式SRAM代替同步爆炸式SRAM是必然的選擇，因為它可以有效地延長訪問時鐘，從而有效地提高訪問速度。
14.雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器
作為SDRAM的換代產品，它有兩個特點:壹是速度是SDRAM的兩倍；其次，使用DLL(延遲鎖定環)來提供數據濾波信號。這是目前內存市場的主流模式。
15.同步鏈接。
這是壹個擴展的SDRAM存儲器，它改進了邏輯控制電路，同時增加了更先進的同步電路。但由於技術上的展示，付諸實踐並不難。
16.CDRAM(緩存DRAM)。
這是三菱電機公司最先開發的專利技術。它在DRAM芯片的外部引腳和內部DRAM之間插入壹個SRAM作為二級緩存。目前幾乎所有的CPU都配備了壹級緩存來提高效率。隨著CPU時鐘頻率的翻倍，緩存未被選中的影響會越來越嚴重，而CACHE DRAM提供的二級緩存正好補充了CPU壹級緩存的不足，所以可以大大提高CPU效率。
17.DDR II(雙倍數據速率同步DRAM，第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII是在1999年DDR原SLDRAM聯盟解散，現有研發成果與DDR整合後的未來新標準。DDRII的詳細規格尚未確定。
18.直接Rambus DRAM
它是下壹代的主流存儲器標準之壹，由RamBus公司設計開發，將所有管腳連接到壹條具有相同* * * *的總線上，不僅可以減小控制器的尺寸，還可以增加數據傳輸的效率。
二、ROM(只讀存儲器)
ROM是電路最簡單的半導體電路。它是通過掩模技術壹次性制造的。在部件正常工作的情況下，ROM中的代碼和數據將被永久保存，不能修改。壹般應用於PC系統的程序代碼，主板上的BIOS(基本輸入輸出系統)等。它的讀取速度比RAM慢很多。
根據元件的不同，ROM存儲器分為以下五種類型:
1.掩模只讀存儲器(掩模型只讀存儲器)
為了大量生產ROM存儲器，廠商需要先用原始數據做壹個ROM或者EPROM作為樣品，然後再大量復制。這個樣本是壹個掩膜版ROM，掩膜版ROM中刻錄的數據是永遠無法修改的。它的成本相對較低。
2.可編程只讀存儲器。
這是壹種ROM存儲器，其中的數據可以通過刻錄機寫入，但只能寫入壹次，因此也稱為“壹次可編程只讀存儲器”(OTP-ROM)。PROM出廠時，存儲的內容都是1，用戶可以根據需要將壹些單元寫入數據0(有的PROM出廠時都是數據0，所以用戶可以將壹些單元寫入1)，達到“編程”的目的。
3.EPROM(可擦除可編程)。
這是壹種可擦除只讀存儲器，擦除後可以重新編程。在書寫之前，必須通過用紫外線照射其IC卡上的透明窗口來清除裏面的內容。這種芯片很容易識別，它的包裝上有“應時玻璃窗”。已編程的EPROM芯片的“應時玻璃窗”通常覆蓋有黑色不幹膠紙，以防止陽光直射。
4.EEPROM(電可擦除可編程)。
功能和使用方式與EPROM相同，不同的是數據的清零方式，用20V左右的電壓清零。此外，它還可以使用電信號來寫入數據。這種ROM存儲器主要用於即插即用(PnP)接口。
5.閃存(閃存)
這是壹種不用拔IC就能直接修改主板內容的內存。當電源關閉時，存儲在其中的數據不會丟失。寫入數據時，必須先清除原始數據，然後再寫入新數據。缺點是寫數據的速度太慢。