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原子層沈積分析

從原理上講,ALD是通過化學反應得到的產物,但它與傳統的CVD在沈積反應的原理、沈積反應條件的要求、沈積層的質量等方面都有所不同。在傳統的CVD工藝中,化學氣相是連續通入真空室的,因此沈積過程是連續的,沈積薄膜的厚度與溫度、壓力、氣體流量、流動均勻性、時間等多種因素有關。在ALD工藝中,不同的反應前體以氣體脈沖的形式交替送入反應室,因此它不是壹個連續的過程。與傳統的沈積工藝相比,ALD在薄膜均勻性、臺階覆蓋和厚度控制方面具有明顯的優勢。

在某些應用中,需要對內腔表面進行大縱橫比的鍍膜,在極端情況下縱橫比會達到15甚至20,這是傳統鍍膜方法無法實現的。而原子層沈積技術在這方面具有獨特的優勢,因為它在基底表面形成吸附層,然後通過反應生成薄膜,可以在大縱橫比的內腔表面形成厚度均勻的薄膜。

工作原理圖近年來,對X射線光譜中光學薄膜的需求和研究也越來越多。由於材料的光學常數和性質在X射線區隨波長變化顯著,同時,在X射線多層膜的制備中,基底的表面粗糙度很高,膜層很薄,很難控制。這些問題仍然是光學薄膜研究中的難點。由於ALD技術是基於反應前驅體在表面的化學吸附,反應形成薄膜,其主要特點是適合沈積薄膜質量好的薄膜,在X射線光學薄膜器件的制備中具有絕對優勢。

光子晶體是20世紀80年代末提出的新概念和新材料。由於它的光子帶隙和光子局域化,具有廣闊的應用前景。由於光子晶體是壹種人工微結構,自然界中只有少數幾種,因此光子晶體的制作技術壹直是研究熱點。原子層沈積技術可以精確控制膜層,獲得的高度均勻的表面對光子帶隙特性影響很大,為獲得高性能光子晶體結構提供了靈活有效的途徑。

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