u盤存儲的原理是在原有的晶體管上增加浮柵和選擇柵，形成浮柵，在源漏間單向電流導通的半導體上存儲電子。浮柵被氧化矽薄膜絕緣體包裹。在其上方是控制源極和漏極之間傳導電流的選擇/控制柵極。數據是0還是1取決於矽襯底上形成的浮柵中是否有電子。有電子是0，沒有電子是1。閃存，顧名思義，在寫入之前刪除數據進行初始化。具體來說，從所有浮柵中提取電子。有些數據會返回到“1”。數據為0時只寫，數據為1時什麽都不做。當寫入0時，高電壓被施加到柵電極和漏電極，這增加了在源電極和漏電極之間傳導的電子能量。這樣電子就會突破氧化膜絕緣體進入浮柵。讀取數據時，在柵電極上施加壹定的電壓，電流為1，小則電流為0。當浮柵中沒有電子時(數據為1)，在柵電極上施加電壓時，在漏極上施加電壓，由於大量電子的運動，源極和漏極之間會產生電流。但當浮柵中有電子時(數據為0)，溝道中傳導的電子會減少。因為施加到柵電極的電壓被浮柵電子吸收，所以很難影響溝道。硬盤中存儲的原理數據存儲在密封在幹凈硬盤驅動器內腔中的幾個磁盤上。這些磁盤通常是通過在以鋁為主要成分的基底表面上塗覆磁介質而形成的。在磁盤的每壹面，以壹定磁密度為軸的幾個同心圓分成磁道，每個磁道又分成幾個扇區，數據按扇區存儲在硬盤上。兩邊各有壹個讀寫頭，所以不同頭的同壹位置的所有磁道就形成了所謂的柱面。傳統的硬盤讀寫是通過柱面、磁頭和扇區進行尋址的(CHS尋址)。硬盤在通電後保持高速旋轉(5400轉/分以上)，磁頭臂上的磁頭懸浮在磁盤表面，可以通過步進電機在不同的柱面之間移動，讀寫不同的柱面。因此，如果硬盤在通電時劇烈震蕩，磁盤表面很容易被劃傷，磁頭也很容易損壞，給磁盤上存儲的數據帶來災難性的後果。硬盤的第壹個扇區(1扇區，0通道，0頭)預留為主引導扇區。主引導區主要有兩個內容:主引導記錄和硬盤分區表。主引導記錄是壹段程序代碼，主要作用是引導安裝在硬盤上的操作系統；硬盤分區表存儲硬盤的分區信息。電腦啟動時會讀取扇區的數據，判斷其合法性(扇區最後兩個字節是0x55AA還是0xAA55)。如果合法，它將跳轉執行該扇區的第壹條指令。所以硬盤主引導區往往成為病毒攻擊的目標，被篡改甚至破壞。可引導標誌:0x80是可引導分區類型標誌；0表示未知；1是fat 12；；4是fat 16；；5是擴展分區等等。參考資料:
/登凱恩
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