吸收設備
吸收法是利用低揮發性或不揮發性溶劑吸收VOCs，然後利用VOCs與吸收劑物理性質的差異進行分離。
含有VOCs的氣體從吸收塔底部進入塔內，在上升過程中與來自塔頂的吸收劑逆流接觸，凈化後的氣體從塔頂排出。吸收VOCs的吸收劑通過熱交換器，進入汽提塔的頂部，並在高於吸收溫度的溫度或低於吸收壓力的壓力下解吸。解吸的吸收劑被溶劑冷凝器冷凝，然後返回吸收塔。解吸的揮發性有機化合物氣體在通過冷凝器和氣液分離器後作為純揮發性有機化合物氣體離開汽提塔，並被回收。該工藝適用於VOCs濃度高、溫度低的氣體凈化，其他情況需要相應的工藝調整。
活性炭吸附裝置
當用多孔固體物質處理流體混合物時，流體中的某種組分或某些組分可以吸附在表面上，並在表面上富集，這種現象稱為吸附。用吸附法處理廢氣時，吸附的對象是氣態汙染物，氣固吸附。被吸附的氣體成分稱為吸附質，多孔固體物質稱為吸附劑。
吸附質吸附在固體表面後，壹部分被吸附的吸附質可以從吸附質表面分離，吸附質被吸附。但當吸附進行壹段時間後，由於表面吸附質的濃縮，其吸附能力明顯降低，符合吸附凈化的要求。此時需要采取壹定的措施將吸附在吸附劑上的吸附質解吸出來，以增強其吸附能力。這個過程被稱為吸附劑再生。因此，在實際的吸附工程中，去除廢氣中的汙染物，回收廢氣中的有用成分，是吸附-再生和反復吸附的循環過程。
催化燃燒設備
燃燒法處理高濃度Voc和惡臭化合物非常有效。它的原理是用過量的空氣燃燒這些雜質，大部分生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。然而，在處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒產物中的HCl或SO2需要進壹步處理。
低溫等離子設備
等離子體是電離氣體，英文名是Plasma。它是美國科學家繆爾在1927年研究低壓下汞蒸氣中的放電現象時命名的。等離子體由大量的質子、中性原子、受激原子、光子和自由基組成，但電子和正離子的電荷數必須是電中性的，這就是“等離子體”的意義。等離子體在很多方面都不同於固體、液體和氣體，所以有人稱之為物質的第四態。根據狀態、溫度和離子密度，等離子體通常可分為高溫等離子體和低溫等離子體(包子和冷等離子體)。其中高溫等離子體的電離度接近1，各種粒子處於熱力學平衡，溫度幾乎相同。主要用於受控熱核反應的研究。而低溫等離子體處於非平衡狀態，各種粒子的溫度不盡相同。其中，電子溫度(Te)≥離子溫度(Ti)可達104K以上，而離子和中性粒子的溫度可低至300 ~ 500 K..壹般來說，氣體電子放電器屬於低溫等離子體。
光催化和生物凈化設備
光催化是壹種常溫深度反應技術。光催化氧化可以在常溫下將水、空氣、土壤中的有機汙染物完全氧化成無毒無害的產物，而傳統的高溫焚燒技術需要極高的溫度來破壞汙染物，即使使用常規的催化氧化方法也需要數百度的高溫。
理論上，只要半導體吸收的光能不小於其帶隙能量，就足以刺激電子和空穴的產生，半導體就有可能被用作光催化劑。常見的單壹化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如Ti0。、Zn0、ZnS、CdS和PbS等。這些催化劑對於特定的反應有其突出的優勢，在具體的研究中可以根據需要進行選擇。比如CdS半導體的帶隙能量小，與太陽光譜中的近紫外波段有很好的匹配性能，可以很好的利用自然光能量，但容易發生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，二氧化鈦具有良好的綜合性能，是應用和研究最廣泛的單壹復合光催化劑。
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