1和STC89C52只有512字節的RAM，包括兩部分，壹部分是256字節的內部RAM，壹部分是256字節的外部RAM；只有STC89C54以上的芯片才有1K RAM(內部256+外部1024)。
2.1K(應該是2K)的EEPROM出廠時內置了支持串口下載功能的代碼，代碼的串口下載是用官方下載軟件完成的。這個區域在實際應用中也可以用來存儲掉電後不能丟失的數據，但在實際中不能像RAM那樣直接讀寫，需要專門的寄存器操作來完成讀寫。
3.EEPROM既不是ROM也不是RAM，EEPROM也不是當RAM用的——請先記住這壹點，這個問題內容比較多，後面我們會詳細討論。
4.Flash程序存儲器8K用作ROM(嚴格來說這句話應該說是“Flash程序存儲器8K用作程序存儲器”):基本上。關於羅·法爾什的詳細情況以後再說。
需要1K RAM嗎？編譯完成後可以觀察編譯結果。如果編譯成功，應該會出現類似如下的信息:“程序大小:data = 9.0，xdata = 1，code = 2345”，其中data的整數部分是妳實際需要的內部ram的字節數，xdata是妳實際需要的外部RAM的字節數，code是代碼長度。您可以根據這些信息選擇最合適的STC微控制器型號。特定於STC 89 C 52:數據
以上部分概念的補充說明(包括_at_)
1和51單片機的C語言中有壹個概念需要註意，就是變量或者數據的存儲方式(不知道PC中有沒有類似的情況)。C51中的存儲模式有data、bdata、idata、pdata、xdata和code * * *:
Data，bdata，idata:也就是說變量或數據位於單片機內部RAM(st89c 52有256字節)，存取速度最快。
Pdata，xdata:也就是說變量或數據位於擴展的外部RAM(st89c 52集成了256字節)，比內部RAM慢。
Code:程序代碼，存儲在單片機程序中(ST89C52包含8192字節)。
編譯KEIL C時，有壹個選項叫做內存模型。如果選擇小模式，程序中的變量壹般會放在內部ram(data)中，如果選擇其他模式，則放在外部RAM中(xdata或pdata，使用這兩種存儲模式的變量物理上都放在外部RAM中，只是尋址方式不同，總體上pdata更快)。當然，如果在定義變量時聲明了存儲模式，編譯器會根據聲明決定變量在哪個區域。例如，char data flag表示指定標誌放在內部RAM中；Char xdata flag _at_0x0000指定放在外部RAM中，地址為0x0000。
“_at_”用於指定變量在內存中的地址。指定地址的好處是方便調試。比如模擬單步運行時，可以直接去地址觀察變量的實際變化。如果不指定，編譯器會決定放在哪裏，只能通過. m51文件獲取變量的地址。它的缺點是容易出錯，而且由於人為因素，各種變量的地址可能會重疊。所以實際應用中壹般不指定地址，除非特殊要求，編譯器會自動安排。
在這裏，我想說幾句關於內部ram和外部RAM的問題:早期的單片機(8031，8032)的外部RAM和程序內存都需要通過P0口和P2口進行擴展，而51單片機本身連1字節的外部RAM都沒有，擴展起來非常麻煩。後來隨著發展，幾乎所有的單片機都或多或少的集成了RAM和程序存儲器，這樣大部分應用只需要設計功能電路，不需要擴展，降低了很多成本。
2.關於FLASH，ROM，PROM，EPROM，EEPROM和RAM。
目前我們通常稱單片機的程序存儲器為ROM。更早的硬件程序代碼確實是放在ROM類型的設備中(包括計算機的BIOS)，所以ROM是程序，程序是ROM。大家都懂了，成了習慣。其實這是不對的。現在很少用真正的ROM了。以下是壹些需要解釋的術語:
RAM:壹般稱為內存，其特點是讀寫速度快，但掉電後數據丟失(後五類數據掉電後不丟失)。
只讀存儲器。特點是只能讀取，芯片出廠時其內容已經固化。如果有什麽錯誤，只能扔掉。
PROM:可編程只讀存儲器。特點是只能在實際應用中讀取，但芯片在應用產品的生產過程中可以由用戶編程，只能寫1次。如有錯誤，將與ROM相同。
EPROM:可以反復擦除的只讀存儲器。特點是在實際應用中只能讀取，但可以用紫外線擦除(或電擦除)，從而實現重編程。編程時只需將芯片取下，在專用設備上擦除編程即可(電擦除芯片可在用戶系統上擦除編程，但必須設計專用擦除編程電路)。這種模式在90年代基本被采用。如果妳在壹個芯片上看到壹個小的玻璃窗，那通常就是采用這種技術的芯片。紫外擦除需要15分鐘，也很麻煩，圖像中編程次數只有1000次。
EEPROM:可以反復擦除的非易失性存儲器。其特點是可讀寫，斷電後數據不會丟失。大多數采用這種技術的芯片都是通過IIC總線模式訪問的。但其容量壹般不大，適合數據量少的應用。
閃存:可以重復擦除的非易失性存儲器。其特點是可讀寫，斷電後數據不會丟失。EEPROM和EEPROM的主要區別是端口更多，存儲容量更大，速度更快，擦除方式也不同:EEPROM可以按字節擦除，而FLASH是塊擦除方式，所以FALSH讀寫更快。
不知道STC微控制器為什麽采用EEPROM模式而不是FLASH。可能是因為EEPROM成本相對較低，可以直接作為非易失性存儲，所以用戶不需要擴展EEPROM。