issg與傳統氧化的區別

ISSG氮化工藝與傳統爐管氧化膜氮化工藝的主要區別在於N集中的位置不同。ISSG氮化工藝將等離子體N+註入到多晶矽柵與SiQ 2的界面，不會增加SiQ 2與Si襯底的界面態，從而顯著提高NBTI效應。而傳統的爐管氧化膜氮化是用NO或N2O向SiQ 2與Si襯底的界面註入N，使SiQ 2與Si的界面態會增大，從而增強NBTI效應。二氧化矽薄膜在集成電路中有著廣泛的應用，可用作MOS管的柵氧化層材料，也可用作集成器件之間的絕緣介質。ISSG(In-Situ Steam Generation)，全稱是原位蒸汽發生，是壹種新型低壓快速熱氧化工藝(RTP)。目前，ISSG主要用於生長超薄氧化膜、犧牲氧化層和制備氧氮化物薄膜。數據表明，ISSG工藝及其相關氮化工藝能明顯提高NBTI效果。由於原子氧的強氧化作用，ISSG工藝最終得到的氧化膜體中缺陷較少，界面態密度較低，質量較高。