SDRAM在壹個時鐘周期內只傳輸壹次數據，並且是在時鐘的上升周期內傳輸數據。而DDR存儲器則是在壹個時鐘周期內傳輸兩次數據，在時鐘的上升期和下降期都可以傳輸壹次數據，所以被稱為雙速率同步動態隨機存取存儲器。DDR內存可以在和SDRAM相同的總線頻率下實現更高的數據傳輸速率。
與SDRAM相比，DDR采用了更先進的同步電路，使指定地址和數據傳輸輸出的主要步驟獨立執行，並與CPU保持完全同步；DDR使用DLL(延遲鎖定環)技術。當數據有效時，存儲器控制器可以使用該數據過濾器信號來準確定位數據，每16次輸出壹次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR可以在不增加時鐘頻率的情況下將SDRAM的速度提高壹倍。它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀取數據，因此其速度是標準SDRA的兩倍。
DDR和SDRAM在外觀和體積上沒有太大區別。它們具有相同的尺寸和相同的引腳距離。但DDR有184個管腳，比SDRAM多16個，主要包含控制、時鐘、電源、接地等新信號。DDR內存采用支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的支持3.3V電壓的LVTTL標準。
支持的內存類型是指主板支持的特定內存類型。不同的主板支持不同類型的內存。內存類型主要包括FPM、EDO、SDRAM、RDRAM和DDR DRAM。
DDR2內存ECC不是壹種內存類型。ECC(糾錯編碼或檢錯糾錯)是壹種具有自動糾錯功能的存儲器。Intel的82430HX芯片組開始支持。使用這種芯片組的主板可以安裝和使用ECC內存。但由於ECC內存成本較高，主要應用於對系統運行可靠性要求較高的商用計算機，如服務器/工作站等。其實內存錯誤並不經常發生，普通主板也不支持ECC內存，所以普通家用和辦公電腦都不需要使用ECC內存。
壹般來說，主板只支持壹種內存類型，但也有例外。有些主板有兩種內存插槽，可以使用兩種內存。比如以前有的主板用EDO和SDRAM，現在有的主板可以用SDRAM和DDR SDRAM。
DDR2和DDR內存的工作原理基本相同。相比較而言，DDR2具有低能耗、低熱值的優勢。DDR2 SDRAM每個時鐘周期可以通過總線傳輸4次數據，是DDR的2倍，帶寬翻倍。隨著Intel915X和925X主板的日益普及，DDR2離我們越來越近了。
DDR2 SDRAM壹出現，就得到服務器、工作站、個人電腦OEM廠商的廣泛支持。DDR2存儲器具有高數據速率、低功耗、高密度的特點，也適合當前數字消費電子產品的應用需求，如機頂盒、數碼相機等。本文對比分析了DDR2相對於傳統存儲器的性能特點，並介紹了DDR2在數碼消費電子產品中的應用機會。
DRAM市場的特點是技術不斷進步，需求不斷增長。DDR2 SDRAM壹出現，就迅速得到了服務器、工作站、個人電腦OEM廠商的支持。對於這些應用，DDR2 SDRAM是很自然的選擇，因為它的速度和帶寬遠高於DDR SDRAM，DDR2的工作電壓為1.8V，這使得它比上壹代產品完全降低了50%。
然而，DDR2的優勢絕不僅限於這些應用。DDR2的高密度、高效率和改進的熱特性為臺式計算機、筆記本電腦和小外形消費電子產品帶來了巨大的優勢。這些優勢的利用將取決於封裝和模塊技術的不斷發展，尤其是在消費電子領域。這個新興市場代表了DRAM行業的壹個新的前沿應用，這將為那些願意接受挑戰以滿足新要求的企業帶來大量機會。
加速向DDR2的轉化。傳統的DRAM市場，如服務器、工作站和個人電腦，正在迅速轉向DDR2。英特爾宣布其未來的所有芯片組都將支持DDR2，其他主要芯片組供應商似乎也在追隨英特爾的腳步。今年春季英特爾信息技術峰會和內存制造商論壇的活動鼓勵了那些希望加速向DDR2過渡的人。DRAM市場上的大多數主要供應商目前都提供經過英特爾認證的DDR2產品。半導體生產設備從8英寸到12英寸晶圓工藝的改造有助於提高產品良率，進而提高DRAM的產量。對於1Gb DRAM設備，在單個芯片上同時支持DDR1和DDR2架構的電路技術非常關鍵，這使得向DDR2的轉換更加容易。
DDR2 SDRAM的優勢
目前DDR2 SDRAM的最高數據傳輸速率為533Mbps，是DDR266的兩倍。除了在原有帶寬上做了壹些改進，還提高了系統的性能和效率，方便了系統設計。這些改進可分為以下四類:
4位預取結構采用DDR2的4位預取結構。DDR2 SDRAM作為外部總線，每時鐘從存儲單元陣列讀寫4倍的數據，工作頻率比內部總線快4倍。DDR2 SDRAM、DDR SDRAM、SDR SDRAM的工作頻率與100MH相同。
DDR400，333，266在頻率和延遲時間上是不同的。DDR400的頻率是最快的，達到了200MHZ(為什麽是200MHZ，因為DDR內存就是雙速率隨機動態同步內存，所以DDR400是從200派生出來的，所以經過換算，DDR400的實際頻率是200MHZ。333的實際頻率是166，266是133，DDR2533是266，DDR2667是333，DDR2800是400MHZ。不過DDR400也是DDR中延遲最後的內存，壹般，速度快，速度相對慢的內存延遲更高。從外觀上看，兩者相差無幾，但也有壹些區別，這主要是從容量和速度相關的內存粒子上看出來的。256MB內存，不考慮DDR，都是單面的，512和512兆以上，大多是雙面都有顆粒。還有DDR400的內存用的粒子速度是5NS，而333是6NS，266是7NS(壹般)。其次，在電壓和引腳的定義上，以及封裝形式上也有差異，大部分是TSOP(薄型小尺寸封裝)和MBGA(微柵球陣列封裝)。