圖6-2-11α軌道測量和沿滑坡方向磁場測量結果
(據李淑壹1987)
1-α軌道測量曲線；2—磁場測量曲線；ρ代表α徑跡生成率，30天為埋杯時間(30天)。
地下水汙染的勘探主要是確定汙染源的位置和範圍，多數情況下通過檢查孔直接監測汙染物及其位移。但是取樣鉆探既費時又費錢。在壹定條件下，利用地電法可以快速、經濟地確定汙染區的位置。
研究表明，在含水層孔隙大小和連通性基本不變的情況下，地下水汙染前後電阻率的變化只與水中所含離子濃度有關。如果汙染前後地下水電阻率差異明顯，汙染體有壹定厚度，其埋深不深，地表電性相對均勻，那麽用電阻率法可以有效地確定汙染源的位置、範圍和汙染程度。
這裏有兩個用電阻率法監測地下水汙染的例子。
(1)電阻率法監測某石化廠地下水汙染。
某石化廠排入柳河的工業廢水和生活汙水長期超標，造成地下水汙染。為了查明汙染帶的分布，電阻率法取得了良好的效果。
勘察區為第四系覆蓋，巖性為砂卵石、粘性土、砂卵石互層，總厚度壹般為80 ~ 100 m..基巖為中奧陶統石灰巖。在旱季，柳河在流經工廠之前已經被切斷。此時，幹涸的河道成為匯集和分散汙染的通道，汙水的下滲和側向滲透形成滑河汙染帶，造成深層地下水汙染。通過物性測定，汙水電阻率為8ω·m，純凈水電阻率為90ω·m，相差10多倍。這為電阻率法劃分汙染區提供了充分的地球物理前提。輸入方式為對稱四極電測深，測線方向垂直於河流方向。勘測線密度視具體情況而定。在汙染區，測線密度密集，而在未汙染區，測線密度稀疏。點距為100米，電極距AB/2 = 4 ~ 150米..由於河床和漫灘的地表電阻率很高，達到n×102 ~ n×103ω·m，為了消除地表高電阻率的影響，突出異常，采用K剖面的偽實電阻率Pz法計算各測點的ρz值(ρz值的計算方法見1980二期“反射”。結果如圖6-2-12至圖6-2-18所示，從中可以看出以下幾點。
1)ρS和ρz曲線在未汙染區和汙染區表現出不同的特征。平面上，未汙染區的ρS和ρz等值線呈帶狀分布，異常寬度窄，ρSρz值高，ρS壹般大於300 ρ m，ρz壹般大於200 ρ m..在汙染區，等高線閉合圓形狀不規則，異常寬度較寬，ρS和ρz值較低，Ps壹般在50 ~ 200ωm之間，Pz壹般小於200ωm(圖6-2-12和圖6-2-13)。在斷面上，未汙染區的ρS和ρz等值線在河床附近光滑連續，無低阻異常(圖6-2-14和圖6-2-15)。在汙染區，由於汙水的向下和側向滲透，在地面以下形成壹個三角形的汙染圈。在河床附近，Ps和Pz的等值線扭曲，出現人字形分布的低阻異常。人字形異常的位置是河床徑流的位置(圖6-2-16和圖6-2-17)。
圖6-2-12 AB/2=35m ρS等高線圖
(據紀正蓮1988)
圖6-2-13 AB/2=35m ρz等值線圖
(據紀正蓮1988)
圖6-2-14未汙染區電測深等ρS剖面
(據紀正蓮1988)
圖6-2-15未汙染區電測深等ρz剖面
(據紀正蓮1988)
圖6-2-16汙染區電測深剖面圖。
(據紀正蓮1988)
圖6-2-17汙染區電測深剖面圖。
(據紀正蓮1988)
圖6-2-18汙染區分布圖
(據紀正蓮1988)
2)ρs和ρz等值線的梯度帶反映了汙染圈的邊界。汙染範圍可以用等ρS和ρz斷面上人字形梯度帶拐點的連線來界定。圖6-2-18是各斷面圍合的汙染帶分布圖。與環境水文地質調查結果相比，物探圈定的汙染帶範圍與水化學調查圈定的重汙染帶範圍基本壹致。汙染帶探井水質分析結果表明，汙染項目多，明顯超標。但在汙染帶外探井的水質分析結果中，汙染項目不多或明顯超標。
3)由於河床兩側地層不同，汙染深度也不同，低阻人字形異常往往不對稱。汙染深度可以通過人字形梯度帶拐點對應的極距(AB/2)粗略估算。如圖6-2-16所示，人字形異常汙染深度估計為左側30m，右側70m[6]。
(2)監測工礦廢水對環境的汙染
工廠的廢水排入地下，不僅汙染了水源，還加速了壹些地區地下巖溶的發育。例如，硫酸廠的酸性廢水滲入地下，溶解了石膏巖石，擴大了原有的洞穴，產生了新的洞穴，形成了新的地下通道。沿著這些渠道，溶解的物質流入附近的河流。
通過地面與河流之間的電阻率測量，可以圈定巖溶水的通道位置，研究巖溶隨時間的發展。從圖6-2的t1和t19以及t19可以看出，t2時觀測到的t1曲線上的視電阻率低值範圍變寬，這是酸性廢水溶解使溶洞區變寬的結果。圖6-2-19中t2處觀測到的低電阻率範圍大於t1處，表明由於酸性廢水的作用，流入河流的溶解物質明顯增加。
圖6-2-19電法監測工廠廢水對巖溶過程的影響
(據紀正蓮1988)
(a)t 1和t2處的低電阻率範圍；(b)在截面II上t1和t2處測量的視電阻率曲線。
1—觀測剖面；巖溶水通道雙向