IGBT的開關特性指的是漏電流和漏源電壓之間的關系。IGBT導通時，其PNP晶體管為寬基極晶體管，因此B值極低。雖然等效電路是達林頓結構，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時的通態電壓Uds(on)可以用下面的公式表示:Uds(on) = Uj1+Udr+IdRoh其中Uj1為Ji結的直流電壓，其值為0.7 ~ IV。udr-擴展電阻Rdr上的壓降。Roh通道電阻。
通態電流Ids可由下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
其中，imos是流經MOSFET的電流。
由於N+區的電導調制效應，IGBT的通態壓降較小，耐壓1000V的IGBT的通態壓降為2 ~ 3 V..當IGBT斷開時，只有很小的漏電流存在。
具有動態特性的IGBT在導通期間大部分時間作為MOSFET運行，但是在漏源電壓Uds下降的後期，PNP晶體管從放大區變為飽和，這又增加了壹個延遲時間。Td(on)是開啟延遲時間，tri是電流上升時間。在實際應用中，漏電流導通時間ton是td(on)tri之和。漏源電壓下降時間由tfe1和tfe2組成。
在IGBT關斷期間，漏極電流的波形變成兩段。由於PNP晶體管存儲的電荷在MOSFET關斷後很難快速消除，導致漏電流的拖尾時間較長，所以td(off)為關斷延遲時間，trv為電壓Uds(f)的上升時間。在實際應用中，漏極電流的下降時間Tf通常由兩段組成(圖2-59中的t(f1)和t(f2)，漏極電流的關斷時間T(off)= td(off)+trv ten T(f)(2-16)，其中TD(off)和。
所有高頻感應加熱設備均采用IGBT原理加熱，既保證了設備質量，又提高了生產中的穩定性，更高效、穩定、安全、環保地提高客戶的生產力。
IGBT圖片:
使用IGBT加熱設備的案例研究: