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三極管封裝工藝

目前三極管的封裝都是采用傳統的方式,比如通過印錢的方式將芯片封裝成具有壹定功能的三極管(全稱:Wire bond,簡稱:WB)。

然而,對於壹些集成三極管的小型化電子產品,傳統引線鍵合方法封裝的三極管占用空間大,封裝效率低。

技術實現要素:

本發明實施例提供了壹種三極管封裝方法及三極管,用於解決現有三極管占用空間大、封裝效率低的問題。

本發明的第壹方面提供了壹種三極管封裝方法,包括以下步驟:

提供載體並用表面金屬層覆蓋載體的至少壹個表面;

在表面金屬層的電路圖案區域上覆蓋抗蝕劑膜;

電鍍所述表面金屬層的無電路圖案區域,以形成至少壹個第壹焊盤;

在所述至少壹個第壹焊盤上焊接芯片;

在芯片上焊接至少兩個第二焊盤,形成三極管模板;

采用復合材料對三極管模板進行塑封處理;

在第二焊盤和至少壹個第壹焊盤的垂直方向上鉆盲孔,並將盲孔加工成金屬化盲孔;

金屬化盲孔被圖形化形成閉合電路,三極管被封裝。

在壹些可能的實施方式中,在表面金屬層的電路圖案區域上覆蓋抗蝕劑膜包括:

在表面金屬層上塗覆防腐膜;

在曝光和顯影步驟之後,去除非電路圖案區域中的抗蝕劑膜,使得剩余的抗蝕劑膜覆蓋電路圖案區域。

在壹些可能的實施方式中,在將芯片焊接在至少壹個第壹焊盤上之前,該封裝方法還包括:

去除電路圖案區域中的抗蝕劑膜。

在壹些可能的實施方式中,將芯片焊接在至少壹個第壹焊盤上包括:

將芯片放置在所述至少壹個第壹焊盤上,通過錫膏、鍍錫、金屬鍵合和導電膠鍵合中的至少壹種方式將芯片焊接在所述至少壹個第壹焊盤上。

在壹些可能的實施方式中,將第二焊盤焊接在芯片上以形成三極管模板包括:

電鍍芯片的目標區域以形成第二焊盤。

在壹些可能的實施方式中,在第二焊盤和至少壹個第壹焊盤的垂直方向上鉆盲孔包括:

使用激光盲孔在第二焊盤和至少壹個第壹焊盤的垂直方向上鉆出盲孔。

將盲孔加工成金屬化盲孔包括:

采用化學沈銅、電鍍銅、濺射銅和導電銅膠中的至少壹種將盲孔加工成金屬化盲孔。

在壹些可能的實施方式中,在圖案化金屬化盲孔以形成閉合電路之後,封裝方法還包括:

將復合材料放入模具中,進行塑封處理,切除多余的復合材料。

在壹些可能的實施方式中,封裝方法還包括:

將目標電子元件焊接在至少壹個第壹焊盤上,其中所述目標電子元件包括電阻器和電容器中的至少壹個。

本發明的第二方面提供了壹種三極管,其通過第壹方面或第壹方面中的任壹種封裝方法封裝。

從上述技術方案可以看出,本發明實施例具有以下優點:

與現有技術不同,本發明采用傳統的打線方式封裝三極管,通過焊接或盲孔連接將芯片與焊盤焊接在壹起,將芯片封裝成具有壹定功能的三極管,封裝後的三極管占用空間小,整個工藝流程簡單,有效提高了三極管的封裝效率。

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