晶體矽光伏電池有兩種:單晶矽和多晶矽。它們由P型(或N型)矽襯底制成，並通過磷(或硼)擴散形成。生產技術成熟，是光伏市場的主導產品。通過采用埋入電極、表面鈍化、增強陷光、密柵技術、優化背電極和接觸電極等技術，光電轉換效率得到大幅提高。，提高材料中的載流子收集效率，優化防肘膜、凹凸面和高反射背電極。單晶矽光伏電池的面積有限。目前，它是大於10至20厘米的晶圓，年生產能力為46 MW/a..目前主要任務是繼續擴大產業規模，發展帶狀矽光伏電池技術，提高材料利用率。國際公認，AM1.5條件下效率最高為24%，AMO條件下優質空間效率約為13.5-18%，AM1條件下大部分在11-18%之間。用定向凝固法生長的鑄造多晶矽錠代替#晶體矽可以降低成本，但效率較低。優化前後電極銀漿和鋁漿的絲網印刷，千方百計進壹步降低成本，提高效率。大晶粒多晶矽光伏電池的轉換效率高達65438±08.6%。
非晶矽光電池
A-Si(非晶矽)光伏電池通常通過高頻輝光放電分解矽烷氣體來形成。由於沈積溫度低，可在玻璃、不銹鋼板、陶瓷板、柔性塑料片上沈積厚度約為1微米的薄膜，易於大規模(0.5 rn× L.0m)且成本低廉，且多為結構型。為了提高效率和穩定性，有時會做成三層In等多層結構，或者插入壹些過渡層。研制了集成非晶矽光伏組件。激光切割有效面積大於90%，小面積轉換效率提高到14.6%，大面積量產8-10%，疊層結構最高效率21%。研發趨勢是改善薄膜特性，精確設計光伏電池結構和控制各層厚度，改善層間界面狀態，以達到高效率和高穩定性。好弱光低成本！多晶矽光電池
P-Si(多晶矽，包括微制品)光伏電池沒有光致衰退效應，材料質量退化不會影響光伏電池，是國際前沿研究熱點。單晶矽襯底上液相外延制備的P-Si光伏電池的轉換效率為65438±05.3%，通過減薄襯底和加強陷光可以提高到23.7%。CVD法制備的P-Si光伏電池的轉換效率約為12.6-17.3%。廉價襯底的P-Si薄膜的生長方法有PECVD和熱絲法，或者A-Si: H材料薄膜的後退火實現低溫固態晶化，可以制作出效率分別為9.8%和9.2%的非簡並電池。微晶矽薄膜的生長與A-Si工藝兼容，光電性能和穩定性很高。研究引起了極大的關註，但有效率僅為7.7%。大面積低溫P-Si薄膜與-Si構成疊層電池結構，是提高A-S光伏電池穩定性和轉換效率的重要途徑，可以充分利用太陽光譜。理論計算表明，其效率可達28%以上，這將使矽基薄膜光伏電池的性能有所突破。CIS(銅鎖硒)薄膜光伏電池具有轉換效率高(高達17.7%)、性能穩定、制造成本低等特點，已成為國際研發的熱點。CIS光伏電池壹般由沈積在玻璃或其他廉價襯底上的多層薄膜構成，厚度可達2-3 μm。吸收層CIS膜對電池性能起著決定性的作用。目前已經發展了許多制備方法，包括反應蒸發法和硒化法(濺射、蒸發、電沈積等。)，其他外層通常通過真空蒸發或濺射形成。阻礙其發展的原風是工藝重復性差，高效電池成品率低，材料成分復雜，缺少控制薄膜生長的分析儀器。CIS光伏電池正受到工業界的關註，