芯片的基礎材料是矽，而矽的來源是在壹堆沙子中不斷提取純度為99.99999%的矽。再將矽打磨成矽片，制成晶圓，最終經過上千道的工序形成芯片。而這壹切的基礎都是矽，因此市面上的芯片也被統稱為矽基芯片。
然而矽基芯片也面臨壹個問題，那就是物理極限的限制。
隨著芯片制程的不斷突破，已經在向4nm，3nm甚至更先進的1nm發起 探索 ，但物理極限終會成為壹道束縛。到時候矽基芯片到達盡頭，可能人類 科技 也會陷入遲緩。
因此探究新工藝，新材料成為備受矚目的熱門話題。但真的有可能在矽基芯片之外取得新材料的突破嗎？答案是有可能。
壹則好消息傳來，中國企業英諾賽科（蘇州）半導體有限公司實現巨大突破，在矽基氮化鎵材料上完成量產。英諾賽科已經建立起8英寸矽基氮化鎵量產生產線，這也意味著不僅取得了新材料的攻克，而且進入到了量產階段。
根據資料顯示，矽基氮化鎵芯片量產生產線建成之後，可實現年產值100億，年產能也可以達到78萬片矽基氮化鎵芯片晶圓。
這是世界上首座氮化鎵芯片量產項目，在中企的攻克下，對國產芯片的發展都會帶來巨大的意義。
現如今業內正不斷 探索 傳統矽基芯片之外的新材料，新工藝。此前中科院研究的8英寸石墨烯晶圓就在半導體領域取得了顯著進步，由於未實現量產，因此石墨烯制成的碳基芯片還處在研究階段。
但氮化鎵芯片則不同，英諾賽科已經立項建設生產線，將氮化鎵推廣量產。那麽氮化鎵能取得矽基芯片嗎？性能表現又如何呢？
氮化鎵屬於第三代半導體材料，和矽不同的是，氮化鎵無法靠自然界形成，必須要靠人工合成。其優勢對比矽材料是很明顯的，由氮化鎵制成的器件，功率是矽的900倍。禁帶寬帶比矽高出3倍左右。擊穿場強也高於矽11倍。
除此之外，氮化鎵還有散熱高，體積小，損耗小的優點。如果能夠對氮化鎵加以開發，取代矽基芯片是沒有問題的。充電器，元器件等等部件，都能用上氮化鎵。
矽基芯片統治了芯片界幾十年，而研制出矽材料並掌握專利技術的是美國人。所以只要用上矽基芯片，不管有多少技術是自研的，從根源上就很難繞開美國技術。
並且摩爾定律即將到達極限已經是業內公認的事實，只不過是時間問題。當集成電路可容納晶體管無法進壹步提升時，那麽就將迎來後摩爾時代的新挑戰。也就是新材料，新工藝。
有的芯片企業重點研究封裝，而有的則在 探索 芯片新材料。而中國要面臨的後摩爾時代挑戰在於產業鏈太寬，太長。大而不強是壹個需要解決的問題，把產業鏈提升上去以後，才能順利迎接挑戰。
同時光刻機、光刻膠、芯片制程工藝等等，都還有很長的路要走。所以總的來說，中企能夠攻克新材料，只是做好了迎接挑戰的準備，真正的挑戰還在後頭。
美國掌握大量的芯片技術，所以2020年對中企實施芯片規則時，幾乎沒有壹家企業能夠逾越美國技術向中企攻克。這也讓我們意識到，必須從根本上解決技術難題。
英諾賽科的氮化鎵芯片或許只是邁出的第壹步，想要改變整個芯片市場格局並非易事。所以期待能有更多的技術取得突破，到時候面對挑戰，也能巍然矗立。
對英諾賽科的新材料突破妳有什麽看法呢？